手机存储飞跃！UFS 4.1喜迎321层4D闪存

快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。

SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15％，而且依然可以维持高达4.3GB/s的最高持续读取速度。

这样的性能，已经超过了最好的PCIe 3.0 SSD。

同时，随机读写性能分别提升了15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。

能效方面，SK海力士也宣称提升了7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。

不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，目前还是512GB、1TB。