消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026-05-25 分类：36氪 评论(0) 赞(0)

三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 （财联社）