中经记者 吴清 北京报道
全球消费电子行业正经历一场由AI引发的“内存涨价潮”，智能手机、PC厂商等下游厂商持续承压，而作为全球最大存储芯片制造商的三星电子，其半导体（DS）部门却赚得盆满钵满。然而，在半导体部门即将创下历史最佳业绩的当下，三星却在为一场潜在的“寒冬”准备预案。
近日，据韩媒报道，三星电子半导体业务今年预计将创下历史最好业绩。不过，公司内部已经开始担心，当前由存储芯片供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年，之后市场可能再度进入下行周期。
这一消息迅速引发行业震荡。多位业内人士接受《中国经营报》记者采访时表示，一边是AI带来的史无前例的“内存繁荣”，一边是对2028年供需逆转的担忧，这种“冰火两重天”的微妙心态，正主导着三星、SK海力士以及美光等巨头接下来的千亿投资棋局，从而深刻影响着全球存储市场的变局，国产存储或将迎来一次难得的战略发展期。
繁荣背后的隐忧
“我们内部正在讨论一种情形，全球存储芯片市场可能在2028年前后出现转折。”一位三星半导体部门内部人士透露。
三星电子的担忧并非空穴来风。就在刚刚过去的2025年及2026年第一季度，得益于全球AI基础设施投资的激增，存储芯片迎来了一个前所未有的“超级周期”。高带宽内存（HBM）成为了这个时代的“硬通货”。三星电子半导体部门营收暴增，甚至推升公司市值首次突破1000万亿韩元大关。
AI的爆发式增长，让英伟达、AMD等公司的GPU对HBM的需求激增。三星和SK海力士迅速将大量的DRAM产能转向利润更高的HBM，直接导致面向智能手机、PC的传统DRAM供应紧张，价格飞涨。
全球半导体行业协会SEMI的市场情报高级总监Clark Tseng对记者表示，全球DRAM产能到2030年的年增长率仅为4.8%左右，而预计到2028年，四大云服务提供商在人工智能基础设施方面的支出年增长率将达到约38%。
据集邦咨询数据，DDR4 16GB内存模组的价格在过去一年内涨幅高达500%。这股涨价潮正从上游向下游传导，迫使小米、荣耀等国产手机厂商不得不通过硬扛成本、减配或直接涨价等方式艰难求生。
但繁荣之下，风险也开始出现。一位熟悉三星内部情况的行业人士向记者透露，就在去年夏天，三星和SK海力士都无法预料到如今这种繁荣局面。市场的高度不确定性，让巨头们对盲目扩产心有余悸。“他们应该清晰地记得，新冠疫情退潮后因误判需求而过度扩产，曾导致两家公司合计损失22万亿韩元的惨痛教训。”
因此，尽管当下市场火热，但三星内部已形成一个共识：本轮由AI基础设施投资驱动的内存短缺，可能在2028年前后趋于缓解。
而建造一座半导体晶圆厂大约需要两三年，从现在开始的大规模投资，其产能落地时间正好指向那个时间点。据上述行业人士透露，正是基于这一判断，三星内部目前已启动“预警机制”，要求经营支持团队围绕更严格的市场验证来制定投资计划，避免重蹈覆辙——即在误判需求后过度扩产，随后在行业寒冬中承担巨额亏损。
谨慎扩产与未来博弈
各大厂商密集上马的扩产计划将使全球产能跃升至新量级，供需逆转的风险正在积聚。面对这场“甜蜜的烦恼”，全球存储巨头们正采取截然不同的策略。
三星和SK海力士选择了“谨慎乐观”。一方面，它们仍在积极扩大HBM和先进DRAM工艺的投资。三星正在华城基地推进10纳米第五代（1b）DRAM制程转换，并以平泽工厂为核心扩建新产线；SK海力士则在其M15X新工厂持续推进下一代DRAM产线建设。这些举措旨在抓住AI带来的高利润窗口期。
但另一方面，两家公司对通用型DRAM的扩产计划却很审慎。SK海力士多次公开表态，将以“实际需求而非乐观预期”作为扩产依据。三星更是将“避免过度投资”列为当前内存业务战略的重要关切。这种克制，源于对2028年产能集中释放后可能出现的过剩危机的深刻反思。
美光则显得更为激进。该公司正在新加坡及美国大举扩建DRAM产线，并自去年起大规模采购设备以提升HBM供给能力。考虑到晶圆厂约两年的建设周期，美光的产能将在2028年前后集中释放。
然而，危机中也孕育着新机遇。值得关注的是，随着三星、美光将资源全面转向HBM4和1c DRAM，中低端利基型DRAM以及2D NAND市场出现了较大的真空。这正是中国国产存储厂商难得的“战略窗口期”。
记者注意到，在DRAM领域，当三星、美光等聚焦于AI服务器市场时，长鑫存储等国内厂商正加速在DDR5及LPDDR5X领域的追赶。据业内人士分析，国产内存的良率正在快速爬坡，并在小米、荣耀、OPPO等品牌的中端机型中取得了一些突破性进展。
展望未来，存储市场将呈现两大趋势。“结构性稀缺还将持续，在HBM持续吞噬封装与测试产能的背景下，传统DRAM的有效供给将持续承压，价格在相当长时期内维持高位。”上述行业人士称，同时周期波动加剧，AI需求的不规律性和技术迭代的加速，使得市场预测愈加困难，供需失衡的频率和幅度都可能加大。
对此，各方需保持清醒。对上游内存厂商来说，需密切关注2027年年底至2028年的产能释放节奏。目前内存巨头的资本支出高涨，但根据历史经验，一旦市场需求不及预期（如AI资本开支降温），届时存储芯片可能会迎来激烈的价格战。
而在这场由上游主导的游戏中，下游消费电子厂商正经历着残酷的考验。群智咨询数据显示，2026年全球存储行业产能紧张局面难以缓解，已有手机品牌被迫上调产品售价300元至1000元不等。群联电子CEO潘健成甚至预警，2026年年底前，一些无法获得足够内存供应的消费电子厂商可能被迫停产甚至倒闭。
为此，上述行业人士认为，对于手机、电脑等终端企业而言，必须放弃“等价格回落”的幻想。本次涨价并非简单的供需周期，而是由AI引发的“结构性稀缺”，传统DRAM可能长期处于“被需要但不优先”的地位。下游厂商应加速推进供应链多元化，积极导入国产方案，并优化产品设计，通过提升AI算力和端侧体验来对冲硬件成本上涨，让消费者觉得“涨价涨得值”。
此轮内存危机与此前的芯片被“卡脖子”颇为相似，正在加速推动内存领域的国产化替代。业内人士预测，未来3—5年，国产内存将逐步完成从技术突破到大规模产能落地的过程，有望进入主流消费市场供应链，覆盖小米、OPPO、vivo等国产手机品牌，内存危机才能真正解除。
（编辑：张靖超 审核：李正豪 校对：颜京宁）
